Продукція > NEXPERIA > BSS84AKS,115
BSS84AKS,115

BSS84AKS,115 Nexperia

2736853963851210bss84aks.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.45 грн
9000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSS84AKS,115 за ціною від 3.91 грн до 3611.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 NEXPERIA BSS84AKS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
44+9.73 грн
63+6.74 грн
100+5.46 грн
250+4.87 грн
500+4.50 грн
1000+4.28 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.85 грн
45+17.08 грн
58+13.11 грн
100+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3611.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Nexperia BSS84AKS.pdf MOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 2736853963851210bss84aks.pdf
BSS84AKS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.46 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS.pdf
BSS84AKS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.35 грн
44+9.73 грн
63+6.74 грн
100+5.46 грн
250+4.87 грн
500+4.50 грн
1000+4.28 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 2736853963851210bss84aks.pdf
BSS84AKS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.85 грн
45+17.08 грн
58+13.11 грн
100+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 2736853963851210bss84aks.pdf
BSS84AKS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+3611.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 BSS84AKS.pdf
BSS84AKS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84AKS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115 NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84AKS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.