Продукція > NXP > BSS84AKS

BSS84AKS NXP


info-tbss84aks.pdf
Виробник: NXP
2P-MOSFET 50V 160mA 7.5Ω 445mW BSS84AKS,115 BSS84AKS NXP TBSS84aks
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKS NXP

Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6, Packaging: Bulk, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції BSS84AKS за ціною від 3.30 грн до 2014.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AKS0031 AKS0031 AKYGA SEMI bss84.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; Idm: -1.2A; 0.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.2A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
54+8.31 грн
87+4.76 грн
136+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS BSS84AKS Analog Power Inc. DS_BSS84AKS_1A_1.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2014.15 грн
10+229.57 грн
50+63.46 грн
100+39.45 грн
1000+17.14 грн
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AKS0031 bss84.pdf
Виробник: AKYGA SEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; Idm: -1.2A; 0.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.2A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+8.31 грн
87+4.76 грн
136+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS DS_BSS84AKS_1A_1.pdf
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2014.15 грн
10+229.57 грн
50+63.46 грн
100+39.45 грн
1000+17.14 грн
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.