Продукція > NEXPERIA > BSS84AKV,115
BSS84AKV,115

BSS84AKV,115 NEXPERIA

bss84akv.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKV,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSS84AKV,115 за ціною від 4.15 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.40 грн
8000+4.82 грн
12000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5465+5.58 грн
10000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 5465
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.59 грн
8000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.65 грн
8000+4.94 грн
12000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.80 грн
8000+5.17 грн
12000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.02 грн
8000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia bss84akv.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.25 грн
100+10.22 грн
500+7.13 грн
1000+6.34 грн
2000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003511472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003511472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 Виробник : NEXPERIA BSS84AKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 BSS84AKV,115 Виробник : Nexperia BSS84AKV.pdf MOSFETs 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115 Виробник : NEXPERIA BSS84AKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.