Продукція > NEXPERIA > BSS84AKW,115
BSS84AKW,115

BSS84AKW,115 NEXPERIA


2154602392566575bss84akw.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKW,115 NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS84AKW,115 за ціною від 2.05 грн до 20.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : Nexperia 2154602392566575bss84akw.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : Nexperia 2154602392566575bss84akw.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : Nexperia BSS84AKW.pdf MOSFETs SOT323 P-CH 50V .15A
на замовлення 47348 шт:
термін постачання 399-408 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.44 грн
34+10.42 грн
100+5.74 грн
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 Виробник : NXP BSS84AKW.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 Виробник : NXP BSS84AKW.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 Виробник : NEXPERIA BSS84AKW.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.83 грн
69+12.45 грн
116+7.34 грн
500+5.28 грн
1000+4.22 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8CD1658F49D380D5&compId=BSS84AKW.pdf?ci_sign=9e1bc9276dce759cf33c90632fd34e75a54b7ae9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.31W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKW.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKW.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8CD1658F49D380D5&compId=BSS84AKW.pdf?ci_sign=9e1bc9276dce759cf33c90632fd34e75a54b7ae9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.31W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.