
на замовлення 315165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5464+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKW,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84AKW,115 за ціною від 1.29 грн до 19.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 315165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 44700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1161000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 47894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 251670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS84AKW,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84AKW,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |