на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84DW-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS84DW-7-F за ціною від 4.41 грн до 25.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 89000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 90530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET -50V 200mW |
на замовлення 326525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS84DW-7-F Код товару: 180540 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS84DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |