BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3917+ | 3.24 грн |
| 180000+ | 2.96 грн |
| 270000+ | 2.76 грн |
| 360000+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84IXUSA1 за ціною від 1.88 грн до 23.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84IXUSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSS84IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
на замовлення 25486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84IXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS84IXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSS84IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |