Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS84IXUSA1
BSS84IXUSA1

BSS84IXUSA1 Infineon Technologies

infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3769+3.75 грн
204000+3.43 грн
306000+3.20 грн
408000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 960mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm.

Інші пропозиції BSS84IXUSA1 за ціною від 2.35 грн до 21.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.90 грн
6000+4.15 грн
9000+3.68 грн
24000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
6000+4.17 грн
9000+3.70 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+7.38 грн
1936+7.31 грн
2614+5.41 грн
2924+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.02 грн
130+6.36 грн
500+4.34 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS84I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 42247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.68 грн
31+10.78 грн
100+5.85 грн
500+4.30 грн
1000+3.81 грн
3000+3.67 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.42 грн
75+11.02 грн
130+6.36 грн
500+4.34 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies 448_BSS84I.pdf Description: BSS84IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
26+11.76 грн
100+7.30 грн
500+5.02 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.33 грн
59+12.80 грн
60+12.67 грн
103+7.12 грн
250+6.52 грн
500+4.64 грн
1000+4.15 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.90 грн
6000+4.15 грн
9000+3.68 грн
24000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.94 грн
6000+4.17 грн
9000+3.70 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1916+7.38 грн
1936+7.31 грн
2614+5.41 грн
2924+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.02 грн
130+6.36 грн
500+4.34 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 Infineon_BSS84I_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 42247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.68 грн
31+10.78 грн
100+5.85 грн
500+4.30 грн
1000+3.81 грн
3000+3.67 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+18.42 грн
75+11.02 грн
130+6.36 грн
500+4.34 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 448_BSS84I.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS84IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
26+11.76 грн
100+7.30 грн
500+5.02 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84IXUSA1 infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
BSS84IXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+21.33 грн
59+12.80 грн
60+12.67 грн
103+7.12 грн
250+6.52 грн
500+4.64 грн
1000+4.15 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.