BSS84KHE3-TP MCC (Micro Commercial Components)
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84KHE3-TP MCC (Micro Commercial Components)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84KHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 400 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BSS84KHE3-TP за ціною від 4.23 грн до 20.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84KHE3-TP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSS84KHE3-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84KHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 400 mA, 2.9 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSS84KHE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSS84KHE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSS84KHE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 |
товару немає в наявності |


