
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Можливі заміни BSS84LT1G ON Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSCJ |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 1135 шт
935 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Харків 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BSS84LT1G за ціною від 1.50 грн до 20.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA On-state resistance: 10Ω Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 160080
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 36/ |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 213295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA On-state resistance: 10Ω Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 7505 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |