Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSS84LT1G (SOT-23, ON)
BSS84LT1G (SOT-23, ON)

BSS84LT1G (SOT-23, ON)

bss84lt1-d.pdf
Код товару: 160080
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 36/
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.20 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни BSS84LT1G (SOT-23, ON) ON

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ)
Код товару: 188580
Додати до обраних Обраний товар
JSCJ Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 3139 шт
  • 2770 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ)
Код товару: 188580
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: JSCJ
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 3139 шт
  • 2770 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції BSS84LT1G (SOT-23, ON) за ціною від 1.68 грн до 21.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84LT1G BSS84LT1G onsemi BSS84LT1-D.PDF Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
6000+4.59 грн
12000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI BSS84LT1-D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
57+7.36 грн
65+6.44 грн
92+4.55 грн
105+4.02 грн
500+3.30 грн
1000+3.00 грн
1500+2.85 грн
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G onsemi BSS84LT1-D.PDF Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.90 грн
24+12.80 грн
50+9.16 грн
100+7.48 грн
500+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G onsemi BSS84LT1-D.PDF MOSFETs 50V 130mA P-Channel
на замовлення 160877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G ON Semiconductor BSS84LT1-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G ON-Semiconductor BSS84LT1-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G ON-Semiconductor BSS84LT1-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
BSS84LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.86 грн
6000+4.59 грн
12000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.91 грн
57+7.36 грн
65+6.44 грн
92+4.55 грн
105+4.02 грн
500+3.30 грн
1000+3.00 грн
1500+2.85 грн
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
BSS84LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.90 грн
24+12.80 грн
50+9.16 грн
100+7.48 грн
500+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
BSS84LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 50V 130mA P-Channel
на замовлення 160877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G 2353874.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G 2353874.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.