BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.61 грн |
| 6000+ | 3.12 грн |
| 9000+ | 2.93 грн |
| 15000+ | 2.56 грн |
| 21000+ | 2.45 грн |
| 30000+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84PH6327XTSA2 за ціною від 2.03 грн до 22.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 642000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 289860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1129892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -140mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.37nC Technology: SIPMOS™ |
на замовлення 4238 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1141527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 |
на замовлення 124809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1129892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 70558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 7301 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |