BSS84PH6327XTSA2 Infineon
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84PH6327XTSA2 Infineon
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Інші пропозиції BSS84PH6327XTSA2 за ціною від 2.64 грн до 27.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4301 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 241500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 70558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 70558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 241594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 |
на замовлення 14787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 415082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 415082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.70 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.70 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.52 грн |
| 9000+ | 3.31 грн |
| 15000+ | 2.89 грн |
| 21000+ | 2.77 грн |
| 30000+ | 2.64 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 5.06 грн |
| 9000+ | 4.77 грн |
| 15000+ | 4.28 грн |
| 21000+ | 3.79 грн |
| 30000+ | 3.48 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 5.06 грн |
| 9000+ | 4.77 грн |
| 15000+ | 4.28 грн |
| 21000+ | 3.79 грн |
| 30000+ | 3.48 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1349+ | 10.41 грн |
| 1834+ | 7.66 грн |
| 2075+ | 6.77 грн |
| 3000+ | 5.43 грн |
| 6000+ | 4.52 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 13.60 грн |
| 100+ | 8.98 грн |
| 500+ | 6.62 грн |
| 1000+ | 5.60 грн |
| 3000+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.65 грн |
| 9000+ | 3.03 грн |
| 15000+ | 3.00 грн |
| 21000+ | 2.95 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1034+ | 13.60 грн |
| 1565+ | 8.98 грн |
| 2122+ | 6.62 грн |
| 2420+ | 5.60 грн |
| 3081+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.65 грн |
| 9000+ | 3.03 грн |
| 15000+ | 3.00 грн |
| 21000+ | 2.95 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 16.85 грн |
| 37+ | 11.28 грн |
| 54+ | 7.64 грн |
| 100+ | 6.44 грн |
| 500+ | 4.51 грн |
| 1000+ | 3.92 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.24 грн |
| 26+ | 11.64 грн |
| 100+ | 7.23 грн |
| 500+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 4.42 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.11 грн |
| 45+ | 16.73 грн |
| 100+ | 10.41 грн |
| 500+ | 7.39 грн |
| 1000+ | 6.05 грн |
| 3000+ | 4.82 грн |
| 6000+ | 4.34 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
на замовлення 14787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 415082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 415082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






