Продукція > INFINEON > BSS84PH6327XTSA2

BSS84PH6327XTSA2 Infineon


info-tbss84pw.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84PH6327XTSA2 Infineon

Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Інші пропозиції BSS84PH6327XTSA2 за ціною від 2.32 грн до 25.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon info-tbss84pw.pdf P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon info-tbss84pw.pdf P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
6000+3.98 грн
9000+3.68 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+4.26 грн
6000+3.98 грн
9000+3.68 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+4.07 грн
9000+3.77 грн
15000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+4.41 грн
3304+4.28 грн
5000+4.17 грн
10000+3.92 грн
25000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+3.20 грн
21000+3.06 грн
30000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1516+9.33 грн
1531+9.24 грн
2055+6.88 грн
2344+5.82 грн
3000+4.61 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 1071967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.70 грн
250+7.50 грн
1000+4.18 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1186+11.93 грн
1615+8.76 грн
1828+7.74 грн
3000+6.20 грн
6000+5.15 грн
9000+4.66 грн
15000+4.33 грн
21000+4.14 грн
30000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 1186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.36 грн
37+11.62 грн
54+7.87 грн
100+6.63 грн
500+4.65 грн
1000+4.04 грн
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon_BSS84P_DS_v02_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
на замовлення 39169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.82 грн
28+11.75 грн
100+6.41 грн
500+4.72 грн
1000+4.16 грн
3000+3.38 грн
6000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 1071967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.82 грн
85+9.70 грн
250+7.50 грн
1000+4.18 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 254115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
24+12.98 грн
100+8.06 грн
500+5.55 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
54+14.00 грн
100+9.00 грн
250+8.25 грн
500+5.90 грн
1000+5.17 грн
3000+4.43 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.11 грн
53+14.48 грн
100+9.56 грн
500+6.80 грн
1000+5.51 грн
3000+3.55 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 info-tbss84pw.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 info-tbss84pw.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.26 грн
6000+3.98 грн
9000+3.68 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3319+4.26 грн
6000+3.98 грн
9000+3.68 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.37 грн
6000+4.07 грн
9000+3.77 грн
15000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3206+4.41 грн
3304+4.28 грн
5000+4.17 грн
10000+3.92 грн
25000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.51 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+3.20 грн
21000+3.06 грн
30000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1516+9.33 грн
1531+9.24 грн
2055+6.88 грн
2344+5.82 грн
3000+4.61 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 1071967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.70 грн
250+7.50 грн
1000+4.18 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1186+11.93 грн
1615+8.76 грн
1828+7.74 грн
3000+6.20 грн
6000+5.15 грн
9000+4.66 грн
15000+4.33 грн
21000+4.14 грн
30000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 1186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+17.36 грн
37+11.62 грн
54+7.87 грн
100+6.63 грн
500+4.65 грн
1000+4.04 грн
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 Infineon_BSS84P_DS_v02_07_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
на замовлення 39169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.82 грн
28+11.75 грн
100+6.41 грн
500+4.72 грн
1000+4.16 грн
3000+3.38 грн
6000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 1071967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+19.82 грн
85+9.70 грн
250+7.50 грн
1000+4.18 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 254115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
24+12.98 грн
100+8.06 грн
500+5.55 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+24.52 грн
54+14.00 грн
100+9.00 грн
250+8.25 грн
500+5.90 грн
1000+5.17 грн
3000+4.43 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 bss84p_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+25.11 грн
53+14.48 грн
100+9.56 грн
500+6.80 грн
1000+5.51 грн
3000+3.55 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.