BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.50 грн |
| 6000+ | 2.48 грн |
| 9000+ | 2.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84PWH6327XTSA1 за ціною від 2.22 грн до 20.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 35925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 123978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 42616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 |
на замовлення 32018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 123978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
P-Channel 60V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |