Продукція > INFINEON > BSS84PWH6327XTSA1
BSS84PWH6327XTSA1

BSS84PWH6327XTSA1 Infineon

info-tbss84pw%20inf.pdf
Виробник: Infineon
BSS84PWH6327 Infineon P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 TBSS84pw INF
на замовлення 730 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 730 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-60 дні (днів)
Мінімальна партія: 730 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84PWH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Інші пропозиції BSS84PWH6327XTSA1 за ціною від 2.63 грн до 26.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon info-tbss84pw%20inf.pdf BSS84PWH6327 Infineon P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 TBSS84pw INF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
26+18.06 грн
50+10.79 грн
100+9.37 грн
250+7.88 грн
292+3.30 грн
802+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002262991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002262991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 info-tbss84pw%20inf.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon
BSS84PWH6327 Infineon P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 TBSS84pw INF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+18.06 грн
50+10.79 грн
100+9.37 грн
250+7.88 грн
292+3.30 грн
802+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
557+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 INFN-S-A0002262991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 INFN-S-A0002262991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.