BSS84Q-7-F DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.02 грн |
| 1500+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84Q-7-F DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84Q-7-F за ціною від 4.74 грн до 64.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSS84Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSS84Q-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSS84Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |