Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS84T116
BSS84T116

BSS84T116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.57 грн
9000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84T116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції BSS84T116 за ціною від 5.33 грн до 25.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84T116 BSS84T116 Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+21.77 грн
100+13.54 грн
500+9.91 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+22.01 грн
1034+13.68 грн
1412+10.02 грн
2534+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 32156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
50+11.14 грн
100+9.12 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot
на замовлення 10746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 ROHM bss84t116-e.pdf Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 ROHM bss84t116-e.pdf Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+21.77 грн
100+13.54 грн
500+9.91 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
643+22.01 грн
1034+13.68 грн
1412+10.02 грн
2534+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 32156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
20+15.47 грн
50+11.14 грн
100+9.12 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84T116
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot
на замовлення 10746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 bss84t116-e.pdf
BSS84T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.