BSS84T116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.41 грн |
| 6000+ | 4.70 грн |
| 9000+ | 4.44 грн |
| 15000+ | 3.90 грн |
| 21000+ | 3.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84T116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції BSS84T116 за ціною від 4.76 грн до 26.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84T116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 8972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V |
на замовлення 23284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS84T116 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot |
на замовлення 12055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84T116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 8972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 556 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1042 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.23 грн |
| 500+ | 7.07 грн |
| 1500+ | 5.76 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 18.43 грн |
| 100+ | 8.54 грн |
| 500+ | 7.80 грн |
| 1000+ | 6.70 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 764+ | 18.56 грн |
| 1649+ | 8.60 грн |
| 1743+ | 8.14 грн |
| 1875+ | 7.29 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 23284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.63 грн |
| 20+ | 15.03 грн |
| 100+ | 9.44 грн |
| 500+ | 6.57 грн |
| 1000+ | 5.83 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot
MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot
на замовлення 12055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 26.34 грн |
| 20+ | 16.04 грн |
| 100+ | 8.77 грн |
| 500+ | 6.56 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| 3000+ | 4.83 грн |
| 9000+ | 4.76 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 26.34 грн |
| 50+ | 16.27 грн |
| 100+ | 10.23 грн |
| 500+ | 7.07 грн |
| 1500+ | 5.76 грн |
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




