BSS84T116

BSS84T116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.48 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84T116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS84T116 за ціною від 3.53 грн до 23.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : ROHM bss84t116-e.pdf Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.64 грн
100+6.29 грн
500+5.61 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : ROHM bss84t116-e.pdf Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.86 грн
55+15.19 грн
118+7.01 грн
500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.69 грн
22+15.48 грн
100+6.25 грн
1000+5.59 грн
3000+4.27 грн
9000+3.68 грн
24000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 Виробник : Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2052+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 2052
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 Виробник : Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
916+13.32 грн
984+12.40 грн
1229+9.93 грн
1384+8.50 грн
2000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 916
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 Виробник : Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 Виробник : Rohm Semiconductor bss84t116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
On-state resistance: 6.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.92A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84T116 BSS84T116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
On-state resistance: 6.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.92A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.