Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS84WAHZGT106
BSS84WAHZGT106

BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції BSS84WAHZGT106 за ціною від 9.16 грн до 38.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss84wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+11.11 грн
1316+10.75 грн
2500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss84wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.58 грн
100+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
14+22.83 грн
100+14.54 грн
500+10.25 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss84wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1274+11.11 грн
1316+10.75 грн
2500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+29.58 грн
100+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WAHZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
14+22.83 грн
100+14.54 грн
500+10.25 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WAHZGT106
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.