BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.57 грн |
| 6000+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84WAHZGT106 за ціною від 7.06 грн до 41.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A |
на замовлення 4765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS84WAHZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|