BSS84WAHZGT106

BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.29 грн
6000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS84WAHZGT106 за ціною від 8.51 грн до 40.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Виробник : ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.27 грн
500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bss84wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+24.39 грн
100+15.65 грн
500+11.09 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Виробник : ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.27 грн
50+30.05 грн
100+19.27 грн
500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT323 P CHAN 60V
на замовлення 10957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.67 грн
12+30.64 грн
100+17.10 грн
500+12.92 грн
1000+10.72 грн
3000+8.73 грн
6000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.