BSS84WQ-7-F
Код товару: 145068
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS84WQ-7-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSS84WQ-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSS84WQ-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84WQ-7-F |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
| BSS84WQ-7-F |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84WQ-7-F |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)