Продукція > ROHM > BSS84WT106
BSS84WT106

BSS84WT106 ROHM

bss84wt106-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.18 грн
500+6.30 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84WT106 ROHM

Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

Інші пропозиції BSS84WT106 за ціною від 5.05 грн до 23.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM bss84wt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.52 грн
56+14.58 грн
100+9.18 грн
500+6.30 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 Rohm Semiconductor bss84wt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+23.52 грн
56+14.58 грн
100+9.18 грн
500+6.30 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.