Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS84WT106
BSS84WT106

BSS84WT106 ROHM Semiconductor

datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84WT106 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

Інші пропозиції BSS84WT106 за ціною від 4.44 грн до 4.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM bss84wt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM bss84wt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -210mA; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -210mA
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1183+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -210mA; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -210mA
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1183+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.