Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS84WT106
BSS84WT106

BSS84WT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.62 грн
20+15.02 грн
50+10.76 грн
100+8.81 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84WT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

Інші пропозиції BSS84WT106 за ціною від 4.86 грн до 33.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+33.23 грн
22+14.22 грн
100+10.75 грн
500+7.95 грн
1000+7.21 грн
3000+5.89 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM bss84wt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 ROHM bss84wt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 BSS84WT106 Rohm Semiconductor bss84wt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 datasheet?p=BSS84W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WT106
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.23 грн
22+14.22 грн
100+10.75 грн
500+7.95 грн
1000+7.21 грн
3000+5.89 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84WT106 bss84wt106-e.pdf
BSS84WT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.