BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.54 грн |
| 10+ | 33.11 грн |
| 100+ | 22.94 грн |
| 500+ | 16.48 грн |
| 1000+ | 14.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: DFN1010-3W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84XHZGG2CR за ціною від 10.17 грн до 53.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84XHZGG2CR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W |
на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS84XHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |