BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 647+ | 22.41 грн |
| 671+ | 21.60 грн |
| 1000+ | 20.89 грн |
| 2500+ | 19.55 грн |
| 5000+ | 17.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
647 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.
Інші пропозиції BSS84XHZGG2CR за ціною від 12.38 грн до 82.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W |
на замовлення 7946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7946 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -230mA Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSS84XHZGG2CR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.10 грн |
| 10+ | 37.38 грн |
| 50+ | 27.39 грн |
| 100+ | 22.69 грн |
| 500+ | 17.37 грн |
| BSS84XHZGG2CR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 82.77 грн |
| BSS84XHZGG2CR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84XHZGG2CR |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 280+ | 19.23 грн |
| 300+ | 14.04 грн |
| 500+ | 13.29 грн |
| 1000+ | 12.79 грн |
| 4000+ | 12.38 грн |