BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 652+ | 21.68 грн |
| 676+ | 20.90 грн |
| 1000+ | 20.22 грн |
| 2500+ | 18.92 грн |
| 5000+ | 17.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.
Інші пропозиції BSS84XHZGG2CR за ціною від 12.02 грн до 60.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84XHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm |
на замовлення 6705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BSS84XHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm |
на замовлення 6705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.23A Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5954 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 50.95 грн |
| 100+ | 32.65 грн |
| 500+ | 23.86 грн |
| 1000+ | 18.70 грн |
| 2000+ | 14.27 грн |
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 277+ | 50.95 грн |
| 433+ | 32.65 грн |
| 571+ | 24.74 грн |
| 1000+ | 20.19 грн |
| 2000+ | 14.86 грн |
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 10+ | 36.72 грн |
| 50+ | 26.92 грн |
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84XHZGG2CR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 283+ | 18.78 грн |
| 300+ | 13.71 грн |
| 500+ | 13.04 грн |
| 1000+ | 12.44 грн |
| 4000+ | 12.02 грн |





