Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS84XHZGG2CR
BSS84XHZGG2CR

BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

Інші пропозиції BSS84XHZGG2CR за ціною від 10.84 грн до 62.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.29 грн
500+17.95 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+36.05 грн
100+23.34 грн
500+16.77 грн
1000+15.11 грн
2000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+38.42 грн
100+21.68 грн
500+16.57 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
8000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.34 грн
21+38.98 грн
100+25.29 грн
500+17.95 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1127+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 1127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+21.77 грн
676+20.99 грн
1000+20.31 грн
2500+19.00 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
BSS84XHZGG2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+25.29 грн
500+17.95 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84XHZGG2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.80 грн
10+36.05 грн
100+23.34 грн
500+16.77 грн
1000+15.11 грн
2000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84XHZGG2CR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.34 грн
10+38.42 грн
100+21.68 грн
500+16.57 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
8000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
BSS84XHZGG2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.34 грн
21+38.98 грн
100+25.29 грн
500+17.95 грн
1000+13.60 грн
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1127+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 1127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
652+21.77 грн
676+20.99 грн
1000+20.31 грн
2500+19.00 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.