BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor


bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
652+21.68 грн
676+20.90 грн
1000+20.22 грн
2500+18.92 грн
5000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

Інші пропозиції BSS84XHZGG2CR за ціною від 12.02 грн до 60.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.95 грн
100+32.65 грн
500+23.86 грн
1000+18.70 грн
2000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+50.95 грн
433+32.65 грн
571+24.74 грн
1000+20.19 грн
2000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+36.72 грн
50+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
283+18.78 грн
300+13.71 грн
500+13.04 грн
1000+12.44 грн
4000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.95 грн
100+32.65 грн
500+23.86 грн
1000+18.70 грн
2000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+50.95 грн
433+32.65 грн
571+24.74 грн
1000+20.19 грн
2000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+36.72 грн
50+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR bss84xhzgg2cr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84XHZGG2CR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
283+18.78 грн
300+13.71 грн
500+13.04 грн
1000+12.44 грн
4000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.