на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1353+ | 9.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS87,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS87,115 за ціною від 10.15 грн до 38.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSS87,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
P-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 400 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 25; Rds = 3 @ 400 мА, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 1 мА; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3 |
на замовлення 95 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
|
BSS87,115 Код товару: 125179
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BSS87,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSS87/SOT89/MPT3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.58W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |