BSS87,115

BSS87,115 Nexperia


817189715692828bss87.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS87,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 1.6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS87,115 за ціною від 6.75 грн до 51.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS87.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 141259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.42 грн
2000+7.49 грн
3000+7.46 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : NEXPERIA 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1353+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 1353
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
834+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia BSS87-2937491.pdf MOSFETs BSS87/SOT89/MPT3
на замовлення 11137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
16+22.34 грн
100+9.49 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS87.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 141445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+26.52 грн
100+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060256-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 1.6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.25 грн
27+31.53 грн
50+22.37 грн
200+12.26 грн
500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 Виробник : NEXPERIA BSS87.pdf BSS87.115 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.89 грн
71+15.27 грн
195+14.44 грн
500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 Виробник : NXP/Nexperia/We-En BSS87.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 400 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 25; Rds = 3 @ 400 мА, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 1 мА; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 95 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115
Код товару: 125179
Додати до обраних Обраний товар

BSS87.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : NEXPERIA 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87,115 BSS87,115 Виробник : Nexperia 817189715692828bss87.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.