BST400D12P4A101 ROHM

Description: ROHM - BST400D12P4A101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 394 A, 1.2 kV, 0.0035 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 394A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 1.667kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TRCDRIVE Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.