BST47T1P4K01-VC ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5988.68 грн |
| 10+ | 5144.66 грн |
| 120+ | 4260.08 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BST47T1P4K01-VC ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.
Інші пропозиції BST47T1P4K01-VC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BST47T1P4K01-VC | ROHM |
 Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BST47T1P4K01-VC |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)