BST60,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - HF-Transistor: TO-243
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 15.09 грн |
| 500+ | 11.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BST60,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - HF-Transistor: TO-243, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BST60,115 за ціною від 8.72 грн до 41.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BST60,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BST60,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-243 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BST60,115 | Виробник : Nexperia |
Darlington Transistors BST60/SOT89/MPT3 |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BST60,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BST60,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST60,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BST60,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BST60,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товар відсутній |