BST70B2P4K01-VC Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6620.10 грн |
| 10+ | 4994.26 грн |
| 60+ | 4847.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BST70B2P4K01-VC Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції BST70B2P4K01-VC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BST70B2P4K01-VC | ROHM Semiconductor |
 MOSFET Modules 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BST70B2P4K01-VC | ROHM |
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BST70B2P4K01-VC |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
MOSFET Modules 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BST70B2P4K01-VC |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)