Продукція > NEXPERIA > BST82,215
BST82,215

BST82,215 Nexperia

70439922273739bst82.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST82,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції BST82,215 за ціною від 4.32 грн до 29.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+5.73 грн
103+ 5.64 грн
105+ 5.56 грн
106+ 5.27 грн
250+ 4.81 грн
500+ 4.54 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 4.4 грн
6000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 101
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.83 грн
6000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1951+5.98 грн
1982+ 5.89 грн
2014+ 5.8 грн
2047+ 5.5 грн
2081+ 5.01 грн
3000+ 4.74 грн
6000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1951
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6 грн
6000+ 5.48 грн
12000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.25 грн
6000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 2871798.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.72 грн
9000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.73 грн
6000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.83 грн
6000+ 6.31 грн
9000+ 5.68 грн
30000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 2871798.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 126120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.21 грн
500+ 7.08 грн
1500+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+18.1 грн
33+ 17.92 грн
50+ 17.74 грн
100+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 2871798.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 126120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+20.69 грн
50+ 15.99 грн
100+ 11.21 грн
500+ 7.08 грн
1500+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 37
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia BST82-2937762.pdf MOSFET BST82/SOT23/TO-236AB
на замовлення 84740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.55 грн
17+ 18.07 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 6.53 грн
3000+ 5.99 грн
9000+ 5.26 грн
45000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+24.65 грн
20+ 17.83 грн
25+ 14.01 грн
30+ 11.72 грн
100+ 9.85 грн
113+ 7.21 грн
311+ 6.8 грн
3000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 41276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.21 грн
15+ 18.87 грн
100+ 11.36 грн
500+ 9.87 грн
1000+ 6.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.58 грн
12+ 22.22 грн
15+ 16.81 грн
25+ 14.07 грн
100+ 11.82 грн
113+ 8.66 грн
311+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BST82,215 Виробник : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
BST82,215 Виробник : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній