Продукція > NEXPERIA USA INC. > BST82,235
BST82,235

BST82,235 Nexperia USA Inc.

BST82.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST82,235 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.

Інші пропозиції BST82,235 за ціною від 5.50 грн до 41.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia 2898bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3437+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3437
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia 2898bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+9.38 грн
30000+9.05 грн
40000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia 2898bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+10.00 грн
30000+9.64 грн
40000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
14+22.40 грн
100+10.93 грн
500+9.84 грн
1000+8.68 грн
2000+7.69 грн
5000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia BST82.pdf MOSFETs BST82/SOT23/TO-236AB
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.53 грн
14+25.40 грн
100+10.57 грн
1000+8.51 грн
2500+6.68 грн
10000+6.02 грн
20000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : Nexperia 2898bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.12A; Idm: 0.8A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,235 BST82,235 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.12A; Idm: 0.8A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.