Продукція > NEXPERIA > BST82,215
BST82,215

BST82,215 NEXPERIA

70439922273739bst82.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST82,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BST82,215 за ціною від 4.57 грн до 19.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
835+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 835
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1361+6.21 грн
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 1361
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.23 грн
6000+5.93 грн
9000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.79 грн
69+5.75 грн
71+5.59 грн
74+5.36 грн
100+5.20 грн
184+5.04 грн
250+4.88 грн
500+4.73 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.31 грн
6000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.14 грн
42+7.17 грн
43+6.71 грн
45+6.43 грн
100+6.24 грн
184+6.05 грн
250+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 2871798.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.57 грн
500+7.80 грн
1500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 14663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.18 грн
25+12.60 грн
100+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia BST82.pdf MOSFETs SOT23 100V .19A N-CH FET
на замовлення 36689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.47 грн
26+13.48 грн
100+6.73 грн
3000+5.37 грн
9000+5.29 грн
24000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA BST82.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+19.25 грн
57+14.93 грн
100+8.57 грн
500+7.80 грн
1500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 Виробник : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 Виробник : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST82,215 BST82,215 Виробник : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST82.215 BST82.215 Виробник : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63D200FD661F1A704005056AB0C4F&compId=bst82.pdf?ci_sign=8bcb12fa85b3593c3b0d2b596eb4dbf4d6eb2a6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 190mA; 830mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Power: 0.83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.