Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BST91B1P4K01-VC
BST91B1P4K01-VC

BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor

datasheet?p=BST91B1P4K01-VC&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HSDIP20, 750V, 90A, FULL-BRIDGE,
Packaging: Box
Package / Case: 20-PowerDIP Module (1.508", 38.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580pF @ 500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 91A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: 20-HSDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6368.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції BST91B1P4K01-VC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BST91B1P4K01-VC BST91B1P4K01-VC ROHM Semiconductor datasheet?p=BST91B1P4K01-VC&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BST91B1P4K01-VC BST91B1P4K01-VC ROHM 4639068.pdf Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BST91B1P4K01-VC datasheet?p=BST91B1P4K01-VC&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BST91B1P4K01-VC
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BST91B1P4K01-VC 4639068.pdf
BST91B1P4K01-VC
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.