BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HSDIP20, 750V, 90A, FULL-BRIDGE,
Packaging: Box
Package / Case: 20-PowerDIP Module (1.508", 38.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580pF @ 500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 91A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: 20-HSDIP
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BST91B1P4K01-VC за ціною від 4968.38 грн до 8098.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BST91B1P4K01-VC | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BST91B1P4K01-VC | ROHM |
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BST91B1P4K01-VC |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7651.28 грн |
| 10+ | 6274.13 грн |
| 120+ | 4968.38 грн |
| BST91B1P4K01-VC |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8098.27 грн |
| 5+ | 7657.72 грн |