BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSV236SPH6327XTSA1 за ціною від 7.85 грн до 35.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSV236SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSV236SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSV236SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSV236SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
BSV236SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |