Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSV52,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSV52,215 за ціною від 5.05 грн до 13.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSV52,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BSV52,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BSV52,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BSV52,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BSV52,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BSV52,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BSV52,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| BSV52.215 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 13.11 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 13.11 грн |
| 10000+ | 11.68 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 13.11 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 13.11 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 13.11 грн |
| 10000+ | 11.68 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSV52.215 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.05 грн |





