Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSV52LT1G
BSV52LT1G

BSV52LT1G ON Semiconductor

bsv52lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSV52LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції BSV52LT1G за ціною від 3.08 грн до 21.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8983+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 8983 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G onsemi bsv52lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
6000+3.87 грн
9000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ON Semiconductor bsv52lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G onsemi bsv52lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.47 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G onsemi bsv52lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8983+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 8983 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3489+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.47 грн
6000+3.87 грн
9000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.47 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
BSV52LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.