BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a501c81dd0f7e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSZ009NE2LS5ATMA1 за ціною від 58.64 грн до 187.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ009NE2LS5ATMA1 BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ009NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+97.27 грн
100+73.30 грн
500+67.31 грн
1000+62.45 грн
2500+60.62 грн
5000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1 BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a501c81dd0f7e Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.92 грн
10+163.40 грн
25+145.90 грн
100+123.22 грн
250+109.54 грн
500+95.84 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon_BSZ009NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.88 грн
10+97.27 грн
100+73.30 грн
500+67.31 грн
1000+62.45 грн
2500+60.62 грн
5000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a501c81dd0f7e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.92 грн
10+163.40 грн
25+145.90 грн
100+123.22 грн
250+109.54 грн
500+95.84 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.