Продукція > INFINEON > BSZ010NE2LS5ATMA1
BSZ010NE2LS5ATMA1

BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON


Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.42 грн
500+93.57 грн
1000+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSZ010NE2LS5ATMA1 за ціною від 65.24 грн до 190.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ010NE2LS5_DataSheet_v02_02_EN-3361070.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.23 грн
10+116.10 грн
100+94.28 грн
250+87.60 грн
500+82.40 грн
1000+74.98 грн
5000+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.21 грн
10+124.08 грн
100+107.43 грн
500+79.65 грн
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.32 грн
10+138.49 грн
25+124.99 грн
100+101.76 грн
250+93.50 грн
500+88.16 грн
1000+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.