Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ014NE2LS5IFATMA1
BSZ014NE2LS5IFATMA1

BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSZ014NE2LS5IFATMA1 за ціною від 49.42 грн до 121.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ014NE2LS5IF_DataSheet_v02_03_EN-3361128.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+79.04 грн
100+60.34 грн
250+60.19 грн
500+54.14 грн
1000+52.25 грн
2500+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 26590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+88.22 грн
100+73.65 грн
500+55.33 грн
1000+50.90 грн
2000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.