BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 56.41 грн |
| 10000+ | 53.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSZ014NE2LS5IFATMA1 за ціною від 57.18 грн до 262.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V |
на замовлення 47501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |