Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ017NE2LS5IATMA1
BSZ017NE2LS5IATMA1

BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSZ017NE2LS5IATMA1 за ціною від 29.96 грн до 136.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.38 грн
500+39.55 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ017NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3361071.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.68 грн
10+73.92 грн
100+48.35 грн
500+38.34 грн
1000+35.31 грн
2500+33.41 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99 Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.66 грн
10+78.11 грн
100+52.57 грн
500+39.06 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.50 грн
10+87.16 грн
100+58.38 грн
500+39.55 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+58.38 грн
500+39.55 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon_BSZ017NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3361071.pdf
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.68 грн
10+73.92 грн
100+48.35 грн
500+38.34 грн
1000+35.31 грн
2500+33.41 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.66 грн
10+78.11 грн
100+52.57 грн
500+39.06 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+136.50 грн
10+87.16 грн
100+58.38 грн
500+39.55 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.