Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ019N03LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1

BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies

BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+44.99 грн
10000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ019N03LSATMA1 за ціною від 32.14 грн до 170.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ019N03LS_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.39 грн
10+45.39 грн
100+33.76 грн
500+32.63 грн
1000+32.42 грн
2500+32.28 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 14145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+104.76 грн
100+70.76 грн
500+52.74 грн
1000+48.35 грн
2000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 Infineon_BSZ019N03LS_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSZ019N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+64.39 грн
10+45.39 грн
100+33.76 грн
500+32.63 грн
1000+32.42 грн
2500+32.28 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e
BSZ019N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 14145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+170.48 грн
10+104.76 грн
100+70.76 грн
500+52.74 грн
1000+48.35 грн
2000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.