BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 42.50 грн |
| 10000+ | 39.39 грн |
| 15000+ | 38.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ024N04LS6ATMA1 за ціною від 31.76 грн до 290.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V |
на замовлення 83163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 7095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ024N04LS6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |