BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції BSZ024N04LS6ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.