Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ024N04LS6ATMA1
BSZ024N04LS6ATMA1

BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ024N04LS6ATMA1 за ціною від 80.55 грн до 335.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+335.56 грн
86+163.61 грн
95+149.28 грн
117+116.30 грн
200+101.50 грн
500+97.14 грн
1000+86.28 грн
2000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 INFINEON 3204719.pdf Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 INFINEON 3204719.pdf Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+335.56 грн
86+163.61 грн
95+149.28 грн
117+116.30 грн
200+101.50 грн
500+97.14 грн
1000+86.28 грн
2000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 3204719.pdf
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1 3204719.pdf
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.