Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ025N04LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1

BSZ025N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz025n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ025N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ025N04LSATMA1 за ціною від 34.89 грн до 114.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.30 грн
500+41.27 грн
1000+34.96 грн
5000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.31 грн
11+78.56 грн
100+54.30 грн
500+41.27 грн
1000+34.96 грн
5000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ025N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3361156.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.29 грн
10+80.11 грн
100+48.11 грн
500+41.51 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSZ025N04LS_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40147204a34530283 Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.61 грн
10+81.56 грн
100+56.97 грн
500+46.06 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz025n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSZ025N04LS_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40147204a34530283 Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.