Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ028N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1

BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSZ028N04LSATMA1 за ціною від 27.01 грн до 108.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.24 грн
500+41.95 грн
1000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.03 грн
177+68.77 грн
209+58.42 грн
213+55.16 грн
500+50.98 грн
1000+48.78 грн
5000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ028N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360856.pdf MOSFETs N
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.36 грн
10+65.09 грн
100+47.24 грн
500+39.98 грн
1000+30.70 грн
5000+29.24 грн
10000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.24 грн
12+73.75 грн
100+53.24 грн
500+41.95 грн
1000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.33 грн
10+65.91 грн
100+43.86 грн
500+32.28 грн
1000+28.62 грн
2000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ028N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ028N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.