Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ028N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1

BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSZ028N04LSATMA1 за ціною від 27.17 грн до 112.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.36 грн
500+43.63 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.38 грн
177+69.10 грн
209+58.71 грн
213+55.43 грн
500+51.23 грн
1000+49.01 грн
5000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ028N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360856.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+61.35 грн
25+49.50 грн
100+40.45 грн
250+38.86 грн
500+32.45 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.04 грн
12+76.69 грн
100+55.36 грн
500+43.63 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.65 грн
10+68.54 грн
100+45.61 грн
500+33.56 грн
1000+29.76 грн
2000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.