Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ031NE2LS5ATMA1
BSZ031NE2LS5ATMA1

BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 3100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції BSZ031NE2LS5ATMA1 за ціною від 26.82 грн до 118.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.70 грн
10000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.87 грн
10000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.97 грн
10+66.43 грн
50+49.54 грн
100+41.37 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.54 грн
196+72.35 грн
215+65.86 грн
500+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ031NE2LS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 3100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 3100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.70 грн
10000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.87 грн
10000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.97 грн
10+66.43 грн
50+49.54 грн
100+41.37 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 infineon-bsz031ne2ls5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.54 грн
196+72.35 грн
215+65.86 грн
500+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon_BSZ031NE2LS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 3100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 3100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.