BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 25.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ031NE2LS5ATMA1 за ціною від 22.08 грн до 90.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 7793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSZ031NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |