BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.28 грн |
| 500+ | 37.18 грн |
| 1000+ | 29.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ033NE2LS5ATMA1 за ціною від 29.24 грн до 117.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |