Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ034N04LSATMA1
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSZ034N04LSATMA1 за ціною від 21.54 грн до 117.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+45.31 грн
1000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+45.31 грн
1000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+45.31 грн
1000+41.78 грн
10000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+52.66 грн
320+40.44 грн
342+37.77 грн
500+34.85 грн
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+55.15 грн
247+52.37 грн
319+40.57 грн
323+38.64 грн
500+31.35 грн
1000+26.78 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.72 грн
10+44.90 грн
100+30.19 грн
500+28.10 грн
1000+24.89 грн
2500+24.19 грн
5000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.97 грн
250+61.01 грн
1000+41.77 грн
3000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.70 грн
13+59.09 грн
25+56.12 грн
100+41.92 грн
250+38.33 грн
500+32.25 грн
1000+28.69 грн
3000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.11 грн
10+64.05 грн
100+42.62 грн
500+31.34 грн
1000+28.55 грн
2000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.95 грн
50+82.97 грн
250+61.01 грн
1000+41.77 грн
3000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.