Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ034N04LSATMA1
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.47 грн
10000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSZ034N04LSATMA1 за ціною від 22.47 грн до 87.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
10000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.01 грн
250+38.60 грн
1000+28.22 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+49.90 грн
320+38.32 грн
342+35.79 грн
500+33.02 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+52.26 грн
247+49.63 грн
319+38.44 грн
323+36.62 грн
500+29.71 грн
1000+25.38 грн
3000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.73 грн
10+46.14 грн
100+35.11 грн
500+30.64 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.60 грн
13+48.53 грн
25+46.09 грн
100+34.42 грн
250+31.48 грн
500+26.48 грн
1000+23.56 грн
3000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.65 грн
50+49.01 грн
250+38.60 грн
1000+28.22 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.86 грн
10+54.15 грн
25+45.73 грн
100+35.54 грн
250+35.32 грн
500+31.92 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.