Технічний опис BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSZ034N04LSATMA1 за ціною від 27.80 грн до 97.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 7419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 32.12 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 32.92 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 33.02 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 713+ | 49.32 грн |
| 1000+ | 45.48 грн |
| 10000+ | 40.55 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 713+ | 49.32 грн |
| 1000+ | 45.48 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 713+ | 49.32 грн |
| 1000+ | 45.48 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 246+ | 57.32 грн |
| 320+ | 44.02 грн |
| 342+ | 41.12 грн |
| 500+ | 37.93 грн |
| 1000+ | 32.78 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 60.04 грн |
| 247+ | 57.01 грн |
| 319+ | 44.16 грн |
| 323+ | 42.06 грн |
| 500+ | 34.13 грн |
| 1000+ | 29.15 грн |
| 3000+ | 27.80 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.23 грн |
| 13+ | 60.04 грн |
| 25+ | 57.01 грн |
| 100+ | 42.58 грн |
| 250+ | 38.94 грн |
| 500+ | 32.76 грн |
| 1000+ | 29.15 грн |
| 3000+ | 27.80 грн |
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ034N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)