BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.64 грн |
| 10000+ | 24.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSZ034N04LSATMA1 за ціною від 24.73 грн до 110.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 7419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 3583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|