BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 23.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSZ035N03MSGATMA1 за ціною від 24.55 грн до 100.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ035N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ035N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
на замовлення 11581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ035N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSZ035N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |