Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ036NE2LSATMA1
BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+22.45 грн
10000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції BSZ036NE2LSATMA1 за ціною від 23.26 грн до 88.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ036NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3361112.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.80 грн
10+38.26 грн
100+27.42 грн
500+24.03 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.02 грн
10+45.97 грн
100+33.18 грн
500+27.99 грн
1000+24.87 грн
2000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 Infineon_BSZ036NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3361112.pdf
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.80 грн
10+38.26 грн
100+27.42 грн
500+24.03 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.02 грн
10+45.97 грн
100+33.18 грн
500+27.99 грн
1000+24.87 грн
2000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.