Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ040N04LSGATMA1
BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ040N04LSGATMA1 за ціною від 23.14 грн до 119.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
666+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
666+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.19 грн
500+36.73 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.30 грн
10+54.24 грн
40+42.51 грн
100+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.21 грн
15+62.27 грн
100+47.19 грн
500+36.73 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.56 грн
10+67.59 грн
40+51.01 грн
100+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.87 грн
10+63.69 грн
100+42.28 грн
500+31.05 грн
1000+28.27 грн
2000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ040N04LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.54 грн
10+67.61 грн
100+40.42 грн
500+31.66 грн
1000+27.36 грн
2500+26.90 грн
5000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+119.40 грн
162+77.65 грн
200+70.14 грн
500+49.92 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.