Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Name: BSZ040N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 25104642-5
Price: 121000.00 UAH
Availability: InStock

infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ040N04LSGATMA1 за ціною від 24.48 грн до 120.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 26435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
666+	47.47 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
666+	47.47 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : INFINEON

BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	48.20 грн
500+	37.52 грн
1000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	77.94 грн
10+	55.40 грн
40+	43.42 грн
100+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	93.17 грн
15+	63.60 грн
100+	48.20 грн
500+	37.52 грн
1000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	93.52 грн
10+	69.04 грн
40+	52.11 грн
100+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
105+	120.52 грн
162+	78.38 грн
200+	70.80 грн
500+	50.39 грн
1000+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.