Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ040N04LSGATMA1
BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ040N04LSGATMA1 за ціною від 21.99 грн до 123.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
666+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
666+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.03 грн
500+36.47 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.73 грн
10+60.60 грн
22+42.76 грн
60+40.48 грн
500+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.58 грн
12+74.15 грн
100+50.03 грн
500+36.47 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.47 грн
10+75.52 грн
22+51.31 грн
60+48.58 грн
500+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 14280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.67 грн
10+62.57 грн
100+41.92 грн
500+30.51 грн
1000+27.78 грн
2000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.60 грн
162+75.83 грн
200+68.49 грн
500+48.75 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ040N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360835.pdf MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.25 грн
10+79.14 грн
100+47.31 грн
500+39.77 грн
1000+33.50 грн
2500+32.75 грн
5000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz040n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.