Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ042N06NSATMA1
BSZ042N06NSATMA1

BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies

bsz042n06ns_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ042N06NSATMA1 за ціною від 30.97 грн до 74.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2073519.pdf Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.99 грн
500+38.36 грн
1000+33.37 грн
5000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2073519.pdf Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.43 грн
17+51.66 грн
100+46.99 грн
500+38.36 грн
1000+33.37 грн
5000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ042N06NS-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 44571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.28 грн
10+53.13 грн
100+41.59 грн
500+39.32 грн
1000+37.96 грн
2500+36.45 грн
5000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.43 грн
10+58.44 грн
100+50.52 грн
500+44.77 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz042n06ns_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0AE54F44E11C&compId=BSZ042N06NS-DTE.pdf?ci_sign=46fb1ddaeace9d8dd0dc0d9a46dce1c20cd41622 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0AE54F44E11C&compId=BSZ042N06NS-DTE.pdf?ci_sign=46fb1ddaeace9d8dd0dc0d9a46dce1c20cd41622 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.