Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0500NSIATMA1
BSZ0500NSIATMA1

BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ0500NSIATMA1 за ціною від 48.91 грн до 180.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ0500NSI_DataSheet_v02_02_EN-3361008.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.35 грн
10+117.60 грн
100+81.66 грн
250+80.92 грн
500+67.54 грн
1000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.65 грн
10+111.58 грн
100+76.21 грн
500+57.32 грн
1000+52.75 грн
2000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.