Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0501NSIATMA1
BSZ0501NSIATMA1

BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.58 грн
10+81.97 грн
100+55.19 грн
500+41.03 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції BSZ0501NSIATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ0501NSI_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 Infineon_BSZ0501NSI_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.