Продукція > INFINEON > BSZ0503NSIATMA1
BSZ0503NSIATMA1

BSZ0503NSIATMA1 INFINEON

Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+37.33 грн
500+26.50 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0503NSIATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Інші пропозиції BSZ0503NSIATMA1 за ціною від 18.61 грн до 105.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ0503NSI_DataSheet_v02_02_EN-3360769.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.05 грн
10+54.39 грн
100+32.21 грн
500+25.09 грн
1000+21.00 грн
2500+20.58 грн
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.56 грн
16+52.30 грн
100+37.33 грн
500+26.50 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+63.99 грн
100+42.44 грн
500+31.16 грн
1000+28.38 грн
2000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 Infineon_BSZ0503NSI_DataSheet_v02_02_EN-3360769.pdf
BSZ0503NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.05 грн
10+54.39 грн
100+32.21 грн
500+25.09 грн
1000+21.00 грн
2500+20.58 грн
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7
BSZ0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+94.56 грн
16+52.30 грн
100+37.33 грн
500+26.50 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7
BSZ0503NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.46 грн
10+63.99 грн
100+42.44 грн
500+31.16 грн
1000+28.38 грн
2000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.