Продукція > INFINEON > BSZ0503NSIATMA1
BSZ0503NSIATMA1

BSZ0503NSIATMA1 INFINEON


Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.07 грн
500+33.26 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0503NSIATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ0503NSIATMA1 за ціною від 23.98 грн до 105.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.83 грн
15+58.18 грн
100+44.07 грн
500+33.26 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.55 грн
148+82.46 грн
180+68.12 грн
200+62.65 грн
500+51.56 грн
1000+44.62 грн
2000+44.45 грн
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ0503NSI_DataSheet_v02_02_EN-3360769.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 12436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.84 грн
10+61.17 грн
100+39.87 грн
500+33.18 грн
1000+33.11 грн
5000+27.66 грн
25000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+64.22 грн
100+42.59 грн
500+31.28 грн
1000+28.48 грн
2000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.