Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ058N03LSGATMA1
BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies

bsz058n03lsg_rev1.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ058N03LSGATMA1 за ціною від 22.21 грн до 28.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ058N03LS_G_DataSheet_v02_02_EN-3361157.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.29 грн
5000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.