Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ067N06LS3GATMA1
BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ067N06LS3GATMA1 за ціною від 37.52 грн до 134.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.80 грн
10000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.07 грн
10000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+81.48 грн
164+75.71 грн
194+63.84 грн
206+58.19 грн
1000+48.54 грн
2000+43.85 грн
5000+43.41 грн
10000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+91.70 грн
146+85.20 грн
173+71.79 грн
200+65.45 грн
1000+54.62 грн
2000+49.33 грн
5000+43.41 грн
10000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ067N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3360936.pdf MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.66 грн
10+80.48 грн
100+55.56 грн
500+46.28 грн
1000+40.01 грн
2500+38.20 грн
5000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6 Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.74 грн
10+82.49 грн
100+55.60 грн
500+41.36 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz067n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.