BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 52.68 грн |
| 10000+ | 46.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 6700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSZ067N06LS3GATMA1 за ціною від 44.14 грн до 146.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 30390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V |
на замовлення 4542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 6700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 52.68 грн |
| 10000+ | 46.83 грн |
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 93.73 грн |
| 164+ | 87.09 грн |
| 194+ | 73.44 грн |
| 206+ | 66.94 грн |
| 1000+ | 55.83 грн |
| 2000+ | 50.44 грн |
| 5000+ | 49.94 грн |
| 10000+ | 44.14 грн |
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 105.48 грн |
| 146+ | 98.00 грн |
| 173+ | 82.58 грн |
| 200+ | 75.28 грн |
| 1000+ | 62.83 грн |
| 2000+ | 56.75 грн |
| 5000+ | 49.94 грн |
| 10000+ | 49.63 грн |
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.55 грн |
| 10+ | 89.95 грн |
| 50+ | 67.78 грн |
| 100+ | 56.90 грн |
| 500+ | 45.10 грн |
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 6700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 6700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)