Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ068N06NSATMA1
BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ068N06NSATMA1 за ціною від 31.20 грн до 132.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.55 грн
10000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.64 грн
10000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.93 грн
250+51.64 грн
1000+36.71 грн
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.23 грн
50+59.93 грн
250+51.64 грн
1000+36.71 грн
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+93.35 грн
144+85.04 грн
177+69.13 грн
200+62.36 грн
1000+51.14 грн
2000+45.80 грн
5000+44.64 грн
10000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.99 грн
10+76.09 грн
100+54.94 грн
500+40.73 грн
1000+36.08 грн
2000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ068N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360836.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.94 грн
10+87.65 грн
25+70.86 грн
100+52.45 грн
500+42.03 грн
1000+36.67 грн
5000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz068n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.